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您當(dāng)前的位置： 電子元器件破壞性物理分析（DPA）介紹
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破壞性物理分析，英文Destructive Physical Analysis，縮寫即DPA。它是在元器件的生產(chǎn)批隨機(jī)抽取適當(dāng)數(shù)量的樣品，采用一系列非破壞和破壞性的方法來檢驗(yàn)元器件的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料、制造質(zhì)量是否滿足預(yù)定用途及相關(guān)規(guī)范要求。
根據(jù)DPA結(jié)果剔除不合格批次，保留合格批次。破壞性物理分析（DPA）是高可靠工程使用的元器件質(zhì)量保證重要方法之一，主要用于元器件批質(zhì)量的評(píng)價(jià)，也適用于元器件生產(chǎn)過程中的質(zhì)量監(jiān)控。 DPA可發(fā)現(xiàn)在常規(guī)篩選檢驗(yàn)中不一定能暴露的問題，這些問題主要是與產(chǎn)品設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、裝配等工藝相關(guān)的缺陷。由于破壞性物理分析技術(shù)有這樣的技術(shù)特點(diǎn)，因此，對(duì)軍用電子元器件開展DPA，可以把問題暴露于事前，有效防止型號(hào)工程由于電子元器件的潛在質(zhì)量問題而導(dǎo)致整體失效。
對(duì)于DPA中暴露的問題，只要元器件承制廠所與DPA實(shí)驗(yàn)室緊密結(jié)合，進(jìn)行分析與跟蹤，準(zhǔn)確找出導(dǎo)致缺陷產(chǎn)生的原因，采取有針對(duì)性的整改措施，則大多數(shù)缺陷模式是可以得到控制或消除的。
破壞性物理分析（DPA）技術(shù)不但適用于軍用電子元器件，而且也同樣適用于民用電子元器件，如采購(gòu)檢驗(yàn)、進(jìn)貨驗(yàn)貨及生產(chǎn)過程中的質(zhì)量監(jiān)測(cè)等均可應(yīng)用DPA技術(shù)。
電子元器件破壞性物理分析（DPA）分析范圍
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電阻器；電容器；磁珠；電感器；變壓器；晶體振蕩器；晶體諧振器；繼電器；
半導(dǎo)體分立器件（二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、達(dá)林頓陣列、半導(dǎo)體光電子器件等）；
電連接器；開關(guān)及面板元件；半導(dǎo)體集成電路（時(shí)基電路、總線收發(fā)器、緩沖器、驅(qū)動(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換器、門器件、觸發(fā)器、LVDS線收發(fā)器、運(yùn)算放大器、電壓調(diào)整器、電壓比較器、電源類芯片（穩(wěn)壓器、開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器、電源監(jiān)控器、電源管理等）、數(shù)模轉(zhuǎn)換器（A/D、D/A、SRD）、存儲(chǔ)器、可編程邏輯器件、單片機(jī)、微處理器、控制器等）；濾波器；電源模塊；IGBT等。
電子元器件破壞性物理分析（DPA）檢測(cè)項(xiàng)目
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電子元器件破壞性物理分析（DPA）應(yīng)用示例
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外部目檢：外觀鏡檢的目的是確認(rèn)封裝工藝是否有異常，亦可用來觀察因操作、組裝以及測(cè)試對(duì)封裝體造成的損傷。
X射線檢查（X-Ray）：X光檢查的目的是采用非破壞性的方式探測(cè)封裝體內(nèi)部的缺陷，尤其是在封裝過程中產(chǎn)生的缺陷，諸如外 來物質(zhì)、不合適的互聯(lián)引線、晶粒粘結(jié)材料中的空洞等內(nèi)部缺陷。
超聲掃描分析：聲學(xué)顯微術(shù)是一種先進(jìn)的無損分析方法，它利用高頻的超聲波獲得物體內(nèi)部和外部的高分辨率的圖像。 通過捕捉通過物體的聲波（穿透模式）或從物體反射回去的聲波（反射模式）， 并將這些聲音信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字 信號(hào)，可以獲得圖像。聲學(xué)顯微技術(shù)還可以顯示物體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和缺陷。
芯片開封+內(nèi)部目檢
芯片開封Decap+OM：確認(rèn)開封后的封裝體內(nèi)部是否有缺陷或損傷，包括晶粒上的logo標(biāo)識(shí)應(yīng)與廠家資料相符/芯片頂層表面不 得有污染、異物、擦傷、劃痕、裂紋、頂針印損傷、樹枝狀結(jié)晶等/有效電路區(qū)無裂紋/die邊緣與die護(hù)圈外側(cè)邊 緣間的最小距離/Die表面鈍化層無缺損、無裂紋等。
樣品晶粒四角放大圖及KOZ width測(cè)量和晶背概貌圖（表征晶背形貌細(xì)節(jié)）。
芯片開封Decap+SEM：打線區(qū)域放大圖及焊球直徑、線徑、焊球與周圍結(jié)構(gòu)的間距、Bond pad opening尺寸測(cè)量。
制樣鏡檢：
切片+SEM：確認(rèn)芯片樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)，針對(duì)X-Ray&SAT分析異常做切片驗(yàn)證。
切片+EDS：確認(rèn)鍵合線及金屬層材質(zhì)。
IC芯片假冒翻新：
其他測(cè)試：
