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FIB制樣介紹
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FIB基本原理 FIB（Focused Ion Beam，聚焦離子束)是將離子源（如鎵）產生的離子束經過離子槍加速，并利用電透鏡聚焦成非常小尺寸（納米級）的顯微切割儀器。可以實現微、納米級尺度的表面形貌加工。通常會配置高分辨的掃描電鏡（SEM），用于切割位置的定位及新鮮截面的成像，也就是常說的雙束FIB。 |  |
FIB設備介紹
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 | FIB優勢 FIB是最精密，最微細的加工方法之一， 是微納 米加工技術的基礎； 污染少，特別適用于對易氧化的金屬、 合金材料合高純度半導體材料的加工； 無加工應力，熱變形等級小，加工質量高， 適合于對各種材料或零件的加工。
主要參數 FIB （Ion Beam） 30KV 1.1pA，≤4nm 500V,97pA，≤500nm SEM （E Beam） TLD, UC-mode ON, 1 kV, WD=1.5~2mm,1.6~6.3 pA Measured value ≤0.7 nm |
FIB基本應用
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| 集成電路的診斷與修改 |
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Cross-section截面制備 |
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| 制作透射電鏡樣品 |
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FIB應用示例
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