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AES基本原理 俄歇電子能譜（AES）是一種利用俄歇效應進行成分分析的表面分析技術，通過檢測樣品表面逃逸出的俄歇電子的能量和數量，達到對樣品表面元素組成的定性和半定量分析。俄歇電子能譜是除XPS之外的另一種重要的表面成分分析方法，廣泛地應用于化學和物理研究領域以及半導體、電子、冶金等生產行業。 |
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入射電子束和樣品原子作用，可以激發出原子的內層電子而形成空穴。在外層電子會向內層躍遷過程中會釋放出能量，這一能量將核外另一軌道的電子激發而形成自由電子的現象被稱為俄歇效應。俄歇電子的能量具有元素特征性，利用這一特性可以對樣品組成進行分析。 |
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AES設備介紹及工作模式
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| 儀器能力 獲得的信息：元素(Li~U) 采集深度：5-75? 空間分辨率：8nm 成分檢出限：0.1at% 深度剖析：具備 (Ar+ gun) 定量能力：半定量 |
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AES基本應用
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材料表面微小污染物成分分析 （Micro contaminant analysis on solid surface)
材料表面微/納米級膜層成分及厚度表征 （μm/nm coating layer composition and thickness analysis)
器件微區域的成分表征 (Micro area composition characterization）
多層薄膜層深分布的表征 （Multi-layers depth profile analysis)
AES應用示例
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