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華南檢測技術:深入解析芯片IV曲線與SAT測試案例

發布時間:2024-11-26 點擊次數:7616

一、芯片案例背景:芯片檢測的挑戰與需求

在最近的一個項目中,我們收到了客戶送來的1Pc芯片樣品,要求進行I-V測試、X-ray掃描、SAT掃描。這些測試對于評估芯片的性能和可靠性至關重要。我們的專業團隊立即著手,以確保為客戶提供準確的芯片檢測結果。

芯片檢測

二、芯片分析過程:深入的芯片檢測技術

1. 外觀檢查:

首先,我們使用光學顯微鏡對芯片正表面進行了細致的外觀檢查。結果顯示芯片正表面存在孔洞,疑似燒傷痕跡,這可能是由于電過載(EOS)造成的損傷。

芯片檢測

2. X-Ray測試:

進一步的X-Ray射線檢查揭示了芯片內部鍵合線存在斷線形貌,這進一步證實了EOS損傷的假設。X-Ray測試是芯片檢測中不可或缺的一環,它能夠透視芯片內部結構,發現潛在的物理損傷。

芯片檢測

3. SAT檢查

SAT(超聲波掃描顯微鏡)檢查進一步確認了我們的發現。檢查顯示芯片表面及引線框表面均有明顯分層形貌,這是EOS損傷的直接證據。SAT檢查以其高分辨率和非破壞性特點,在芯片檢測中扮演著關鍵角色。

芯片檢測

4. 電性能測試:

最后,我們進行了I-V測試,以評估芯片的電性能。測試曲線顯示14引腳為開路,而其他引腳測試則顯示出明顯的曲線。這一結果直接指向了芯片的電性能問題,進一步證實了EOS損傷的影響。

芯片檢測

芯片檢測


三、芯片分析結果:芯片檢測的結論

綜合外觀檢查、X-ray檢測、SAT掃描檢測及I-V曲線測試的結果,我們推斷該芯片在使用過程中存在EOS,導致鍵合引線損壞而失效。這一結論為客戶的后續行動提供了明確的指導,幫助他們理解芯片失效的原因,并采取相應的措施。

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廣東省華南檢測技術有限公司

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